Закладка первого камня для строительства корпуса полупроводникового материаловедения в ИНТЦ «Интеллектуальная электроника — Валдай» состоялась 12 июня в Великом Новгороде, сообщает пресс-служба Новгородской области на официальном интернет-портале.

Лабораторный корпус полупроводникового материаловедения будет возведен рядом с основным зданием ИНТЦ, построенного в Великом Новгороде по инициативе президента России Владимира Путина. Научным направлением центра полупроводников станет исследование и разработка высокопроизводительных гетероструктур для современной электронной промышленности на основе полупроводниковых материалов групп АIIIBV (кремниевые, кремний-германиевые нано-структуры).

В новом корпусе на площади 3,9 тыс. кв. метров разместятся современные лаборатории, оснащенные научно-исследовательским оборудованием. СОтрудникам лабораторий будут доступны установка молекулярно-лучевой эпитаксии, рентгеновский фотоэлектронный спектрометр, промышленный томограф высокой точности, просвечивающий и сканирующий электронные микроскопы, установки магнетронного и электронно-лучевого напыления материалов, в том числе отечественные установки плазмохимического травления и осаждения, а также другое оборудование.

В лабораторном корпусе будет организован полный цикл выпуска микросборок и микросхем, начиная от обработки кремниевых подложек и заканчивая корпусированием и упаковкой готовой продукции. В первую очередь совместно с ОКБ «Планета» планируется освоить технологический процесс с нормами 1,5-1,0 мкм. Затем будет решаться задача по освоению технологических процессов с нормами 800 нм и 600 нм.