В краже технологий производства силовых транзисторов обвинен министерством юстиции США китайский бизнесмен из Гонконга Винсман Нг, 27 февраля сообщает газета South China Morning Post.

По версии министерства, Нг вместе с сообщником инженером из компании General Electric (GE) похитил запатентованную технологию производства силовых транзисторов MOSFET на основе карбида кремния. Компаньоны создали презентацию в PowerPoint, якобы содержащую секреты GE, и пытались найти финансирование для создания конкурирующего производства.

Как сообщает издание, у американского минюста нет точных данных, что какая-либо технология действительно была передана в Китай, а также держится в тайне имя некоего сообщника бизнесмена. Согласно предъявленному обвинению бизнесмену может грозить до 10 лет тюрьмы и штраф $250 тыс.

Однако бизнесмен до сих пор не арестован и нет ясности в вопросе, настигнет ли его когда-либо американское правосудие или нет, так как Вашингтон приостановил действие договора об экстрадиции с Гонконгом в августе 2020 года.

Издание отмечает, что после запуска ФБР в 2018 году программы «Китайская инициатива», предназначенной для борьбы с утечками технологий в Китай, новые «шпионские» дела против американцев азиатского происхождения открываются каждые 10 часов. Однако большинство из них тихо закрываются по прошествии нескольких месяцев.