Слиток объемного монокристалла оксида галлия (Ga2O3) высокого кристаллического качества смогли вырастить в результате пятилетних трудов ученые университета ИТМО Петербурга, сообщает 3 июля пресс-служба учебного заведения.

Таким образом, Россия стала четвертой страной после Японии, США и Германии, где самостоятельно смогли выполнить данную работу. Новый материал, как отмечается в сообщении, имеет большое прикладное значение.

Сферой использования кристаллов оксида галлия должна стать электроника, а именно, те области, где нужно отслеживать ультрафиолетовое излучение, силовая электроника с напряжениями более 1000 В, электроника для ядерной промышленности и космоса, поскольку он более устойчив к воздействию ионизирующих излучений.

«Он поглощает именно ультрафиолетовое излучение, что позволяет использовать его, скажем, в солнечно-слепых детекторах. К примеру, летит ракета, от ее сопла идет ультрафиолетовое излучение — датчик видит его, но не засвечивается солнцем», — привел пример возможного применения нового монокристалла один из авторов исследования младший научный сотрудник мегафакультета фотоники Университета ИТМО Дмитрий Панов.

Первыми о новом материале заговорили японцы в 2012 году. Сложностью при выращивании монокристалла является то, что вырастить Ga2O3 можно, имея другой такой же кристалл. Российские специалисты справились с работой, использовав на начальном этапе сапфир. Из него был получен промежуточный материал, использованный в дальнейшем для затравки.