Физики Воронежского государственного университета (ВГУ) разработали новую технологию для выращивания 2D кристаллов карбида кремния, заявил начальник управления инноваций и предпринимательства ВГУ Дмитрий Жукалин 18 июля, сообщает ТАСС.

Кристаллы карбида кремния используются для создания большинства современных электронных устройств: телефонов, смартфонов, ноутбуков, компьютеров. Классическая технология подразумевает необходимость создавать температуру 1800 градусов по Цельсию.

«Мы создали новую технологию получения 2D кристаллов карбида кремния. Классическая технология получения карбида кремния предполагает температуру 1800 градусов Цельсия <…>, а особенность нашей разработки в том, что мы можем создавать условия и получать карбид кремния при комнатной температуре», — сказал Жукалин.

Карбид кремния используется для всей надежной современной электроники, в том числе электроники повышенной надежности. Разработанная технология позволяет в разы ускорить выращивание кристаллов карбида кремния. Также она позволяет пропустить несколько этапов, которые в классическом способе производства занимали несколько дней.

«Если в нано-реакторе растворены наночастицы, то за счет увеличении давления и вихревых потоков <…> на атомарном уровне появляется зародыш, который вырастает в кристалл, и при этом температура может быть комнатной», — описал суть разработанного процесса производства Дмитрий Жукалин.