Первое электрически функциональное устройство на основе перспективных транзисторов complementary FET (CFET) создал международный научно-исследовательский центр микроэлектроники (Imec), 19 июня пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.

Комплиментарные транзисторы CFET располагаются парой друг над другом. Это позволяет существенно увеличить плотность размещения элементов. Imec создала два варианта опытных устройств на таких транзисторах.

В первом варианте оба транзистора были сформированы по одну сторону кремниевой пластины. Во втором случае нижний контакт был перемещен на обратную сторону пластины. Это позволило увеличить вероятность годности верхнего транзистора с 11 до 79%, что пока крайне мало для освоения массового производства.

Длина затвора полученных транзисторов — 18 нм, шаг затвора — 60 нм, вертикальное расстояние между n- и p-транзисторами — 50 нм. Для формирования работоспособных структур исследователям пришлось решить несколько физических проблем, которые на более ранних устройствах не возникали.

Такие транзисторы предполагается использовать для организации технологического процесса производства 7А (условные 7 ангстрем — прим. ИА Красная Весна).